英飞凌使用TO无引线(TOLL)开发一种新型的SiC包装 Cool SiC MOSFET 650V。在服务器SMPS中，据说该设备已经优化、在电信基础设施、储能系统、电池化成解决方案等应用中，损耗低，可靠性高，使用方便。

Cool SiC 650V沟槽功率SiC MOSFET有多种选择，可以满足不同的应用。新系列采用符合JEDEC标准的TOLL包装，寄生电感低，可实现高开关频率、低开关损耗、良好的热管理和自动组装。

英飞凌表示，紧凑的形状和尺寸可以有效地利用电路板空间，使系统设计师实现卓越的功率密度。

为了在恶劣的环境中实现高可靠性，专门设计了Cool SiC MOSFET 650V使其成为具有重复硬换向的合适拓扑。

据称，AI，人工智能，半导体芯片采用.XT互连技术可以通过降低热阻和热阻来进一步提高设备的热性能。此外，新设备的门槛电压超过4V，可以抵抗寄生导电，其二极管稳定，门极氧化物(GOX)它是市场上最强的，因此可以实现低FIT(及时故障)率。

尽管通常建议使用0V截止电压(V GS(off))简化驱动电路(单极驱动)，但V支持新产品组合 GS电压驱动间隔较大，范围为-5 V（关闭）至23 V（开启）。这保证了新设备的易用性，并与其他SiC一起使用 MOSFET与标准MOSFET栅极驱动IC的兼容性。结合高可靠性、低系统复杂性和自动组装，可以降低系统和生产成本，加快上市时间。

新型Cool SiC MOSFET 650V采用TOLL工业级包装，其分立器件具有不同的漏源导电阻(R DS(on))，范围在22至83 mΩ，现在可以订购(107) mΩ、163 mΩ、260 mΩ按需提供版本)。

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