ADI中文技术论坛作为ADI工程师提供技术咨询的窗口，也是从业者分享和交流的平台，自推出以来不断积累，在实际设计中积累了数万名工程师的技术问题和专家回答。本微信官方账号将陆续分享热门问答帖，希望能帮助朋友提供有效的设计参考。本期为大家分享的热门问答帖子来源于 放大器区。快来看看，你也有同样的疑惑吗？

ADHV4702增加输出电流后，出现烧芯片问题 ADHV4702 VP2540的输出电流增加到100ma 和 VN2540 两个 MOSFET 管，按照 datasheet 上图设计电路。模拟看不到问题。但在实验中，ADHV4702 大致输出电流 50mA 一分钟以上就会烧芯片。已经烧了6pcs，求助。

回答你的R6太大了，试试39k。此外，MOSFET的栅极需要电阻驱动，MOSFET需要增加过流保护，然后根据以下电路进行调试。非常感谢您的建议！我会立即安排采购设备进行实验。另外，对于上述电路图，可改为V-端输入，V 端接地么？

答:你想把它改成反相放大器结构吗？如果改成反相放大器结构，肯定没问题。TOP-1_BoostCurrent_ADHV4702 MOS_PN100V_Tran-Sim.asc (点击“阅读原文”，下载原文)根据您的电路图询问功能模拟是否正确。我有什么问题吗？

回答你的PMOS 方向相反，IRF9640S极链接R3。另外，如果要继续做板，建议在同相端和反相端之间加两个BAV199进行保护。您可以告诉您的具体需求，我可以帮助您继续优化电路。但是我想知道你的电路应用场景是什么？问嗯，BAV199被添加到实际电路中进行保护。实际电路是正负10V正弦输入，正负100V驱动2k欧元 6.8mH串联负载，最大驱动电流为100ma。

你的带宽要求是多少？问1kHZ就可以了。另一个问题是，刚才我把R6换成了39k. 情况好多了，但是，当输出超过50V时，仍然感觉芯片的温度非常热。我想问一下芯片烧毁的原理是什么？因为MOS管的大电流通过R6反馈到芯片输出端？ADHV4702本身承载的功率过高，MOSFET的格栅需要比输出高出4V以上的阈值电压才能工作，因此R6上的压降将在4V左右甚至更高。这样你就可以知道ADHV4702的输出电流，即 4V/R6， 若此电流过高，乘以电源电压与输出电压之间的压差，基本知道放大器上加载的功耗。高压电源放大器将相对较热，这是不可避免的，静态功耗电流乘以电源电压是放大器的静态功耗。肯定比普通放大器高。最好加散热器。腹部ADHV4702以下的PAD主要用于散热，应尽可能连接较大的铜皮进行散热。如果是1kHz，可以将C1改为100pf~470pf之间的带宽，以满足您的需求。需要注意的是，C1的耐亚最好是实际承载电压的两倍。例如，您目前的输出是 /-100V， 最好选择200V作为本电容的耐压性。在0V输出附近有这样一个奇怪的变化，这应该是由MOS管引起的。如果输出电流没有增加，就没有这种现象。请问，如何解决这个问题？

我认为这可能是你导入错误的SPICE模型造成的问题。你的目标是输出正弦信号吗？原则上，该电路通过负反馈实现正弦信号是没有问题的。您可能需要使用实际电路进行测试，看看是否有问题。另外，把原电路放进去 R10（Rsense）去掉，我用那个电阻来采样电流，在你的实际电路中毫无意义，这个电路的输出可以直接连接到你的实际负载。问问目标信号是否随机，MOS管是否在输出小电流时引起？上升段和下降段都有这个问题。

答是的，因为当电流很小时，ADHV4702输出的电流超过39k，电阻无法产生超过4V的阈值电压，因此MOSFET无法导通，使MOSFET在微电流中处于截止状态。MOSFET并非总是处于导通状态，这种电路存在问题。但ADHV4702本身就有10ma的输出能力，在小电流时，MOS是否工作并不重要，对吧？ADHV4702的驱动能力不够，发现减少39k没关系？模拟结果显示，将39k换成10k，失真几乎是看不见的。在输出100V时，请看10k是否不会导致芯片烧毁。答:我认为这与模型有关，可能不是真实情况。原则上，10k电阻不会导致芯片燃烧。最终电路参考下图:R6上的阶跃响应输出信号和瞬态电流参考下图：我认为你需要最终建立一个实际测试的电路，看看最终的效果。

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