芯片资讯
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2024-02
英飞凌科技推出全新OptiMOSTM功率
小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低成本和简化应用设计方面发挥着至关重要的作用。此外，更高的功率密度还能实现灵活的布线并缩小系统的整体尺寸。英飞凌科技近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2×2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广泛适用于各种应用，如服务器、通信、便携式充电器和无线充电器中开关电源（SMPS）里的同步整流等。此外，新产品
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2024-02
Flash读写控制器设计
使用Xilinx的平台，最大的难点在于，要自己设计一个Flash读写控制器 具体如何设计一个合适的Flash读写控制器，鉴于Flash有诸多型号诸多接口，设计需求也不尽相同，所以这里不详细论述了。文本讨论一些与Xilinx FPGA相关的、大概率会遇到的问题。 这个Xapp的附件中，有一个用VHDL实现的Flash读写控制器设计可以参考。设计提供了源代码。 关于这一篇，xapp1081，有几点需要注意： 1.这一篇文档的重点不是Flash读写控制器，提供的Flash读写控制器代码在文档中没有详
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2024-02
机构预测:2024年第一季DRAM和NAND闪存价格上涨18
摩根士丹利指出，PC和智能手机ODM/OEM厂的库存水平仍然较低，厂商正在积极增加库存。根据TrendForce的数据，智能手机厂商的移动DRAM库存为4~6周，而NAND（eMMC、UFS）库存为6~7周。TrendForce预计，2024年第一季度的DRAM和NAND闪存价格将比2023年第四季度上涨18%~23%。 该报告强调了当前市场库存状况和未来价格走势。由于ODM/OEM厂的库存水平较低，厂商正在采取措施增加库存，这可能对市场价格产生一定影响。 此外，报告还援引了TrendForc
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2024-02
AMD计划五年内向印度投资4亿美元
近日，美国芯片制造商AMD（超微半导体公司）宣布，计划在未来五年内向印度投资4亿美元，以扩大其在印度的业务，并在卡纳塔克邦班加罗尔开设其最大的设计中心。这一举措表明AMD对印度市场的重视，并希望通过在印度扩大业务来进一步拓展其全球市场份额。 AMD首席技术官Mark Papermaster在古吉拉特邦举行的一次半导体会议上透露了这一消息。他表示，AMD承诺在未来五年内向印度投资4亿美元。印度在软件开发和芯片设计上处于领先地位，已经成为芯片设计的主要中心。AMD等公司在印度开发了大量芯片，此次投
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2024-02
华为海思CPU麒麟9000s重磅归来采用12核架构
华为 Mate 60 Pro采用 12 核的麒麟9000s 芯片组由中芯国际代工。在测试中，该芯片组实现了重大性能提升，可以与高通骁龙888芯片相媲美。 根据测试结果，麒麟9000S的CPU得分为279677分，内存得分为225491分，UX得分为194615分。总体而言，这款手机搭载麒麟9000S，获得了699783分。 安兔兔透露，麒麟9000S采用12核架构，这对于麒麟芯片组来说是很不寻常的。包括2个A34核心、6个定制A78AE核心、4个A510核心，峰值频率2.62GHz。 同时，该
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2024-02
GPU图形处理器_显示核心
GPU的核心数是指图形处理器（GPU）内部的处理单元数量，也称为流处理器数量。核心数是衡量GPU性能的重要参数之一。 与CPU不同，GPU的核心数通常远远大于CPU的核心数，这是因为GPU主要用于处理大量的图形数据，而CPU则需要处理更多的复杂任务。在GPU中，每个核心都具有独立的计算能力，可以同时执行多个任务。这种并行计算的能力使得GPU在处理图形渲染、深度学习、科学计算等任务时具有非常高的性能。 GPU的核心数通常在数十个到数千个不等。例如，一些高端显卡的核心数可能会达到4000或更多。而
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2024-02
意法半导体STM32低功耗功能安全MCU
STM32 U5系列Cortex-M33超低功耗MCUSTM32U5系列提供了基于Arm® Cortex®-M33内核的低功耗高级微控制器，以满足智能应用所需的严苛的功耗与性能要求，这些应用包括可穿戴设备、个人医疗器械、家庭自动化和工业传感器。 STM32U5微控制器系列内置高达2MB的闪存（双BANK架构）与786 KB的SRAM，有助于提升性能至新的水平。 STM32U5拥有8种封装选项（48~169个引脚）和众多产品料号，同时还支持高达125°C的环境温度下工作。 出色的低功耗性能 能耗
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2024-02
三星电子入局碳化硅SiC功率半导体业务
10月17日，据ETNews报道，三星电子正式聘请了安森美半导体前高管Stephen Hong担任副总裁，负责监督SiC功率半导体业务，目标是将碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）两大 功率半导体业务商业化。最近，三星电子聘请了安森美半导体前高管Stephen Hong担任副总裁，负责监督SiC功率半导体业务，并在其器兴园区组建了SiC功率半导体业务特别工作组。据悉，新任总经理Stephen Hong是功率半导体专家，在加入三星电子之前曾在英飞凌、仙童和 安森美半导体等全球主要功率半导体公司工作
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06
2024-02
Onsemi(安森美)的LM358DR2G运算放大器:性能优
LM358DR2G运算放大器：性能优越的双路放大器 一、引言 LM358DR2G是onsemi（安森美）的一款运算放大器，采用SOIC-8封装，是一款单电源、双路放大器。这款运算放大器具有诸多优势，如低噪声、高增益、单电源供电、双路放大等，使其在各种电路设计中成为理想之选。本文将详细介绍LM358DR2G的特性、参数和应用场景，展现其在实际使用中的优越性能。 二、LM358DR2G特性与参数 LM358DR2G具有以下主要特性： 单电源供电：这款运算放大器可在单电源条件下工作，电源电压范围为4
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2024-02
XILINX ZYNQ7000 FPGA 开发板入门 XC7
Xilinx Zynq7000 FPGA 入门优选开发板支持 PYNQ 开发，配套教程，ZYNQ 入门好助手 广泛应用于安防监控、汽车电子、 机器视觉、智能制造、视频音频采集处理、 医疗设备、仪器仪表、智能电网等行业 ·ARM 处理器双核 ARM CORTEX-A9·DDR3 内存1GB，32bit·板载 JTAG 接口无需购买 Xilinx 下载器·HDMI 输出最高支持 1080P@60Hz 输出 核心板主要参数 开发板 AX7020 FPGA 型号 XA7Z020-1CLG4001/XC
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2024-02
ADI:为何完全集成式转换环路器件可实现出色的相位噪声性能
目前对带宽的需求呈爆炸式增长，从而将载波频率推高至几十千兆赫。在这些高频率下，客户可使用更高的带宽，不必担心频谱过度拥挤。但是，随着频率增加，针对这些器件和频率的仪器仪表解决方案就会变得极其复杂，这是因为仪器仪表解决方案需要提升一个数量级的性能，以避免损坏测试中的器件。本文将介绍几种低相位噪声信号生成方法的优缺点，并介绍转换环路器件，这些器件在不增加复杂性的情况下充分利用所有频率产生方法的优点，可以生成超低相位噪声信号。ADI:锁相环电路剖析 锁相环(PLL)电路常见于许多频率产生器件中。这些
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2024-02
日本瑞萨MCU单片机供应商巨头宣布扩产
据日经新闻上周报导，瑞萨计划砸下约480亿日圆于日本国内3座工厂内导入制造设备，目标在2026年结束前将MCU产能较现行提高10%，主因新能源电动车EV普及、带动MCU需求急增。 电动车（EV）普及、带动微控制器（MCU）需求急增，日本半导体大厂瑞萨电子（Renesas Electronics）传出将砸约480 亿日圆，将MCU 产能扩增10%。 据报导，瑞萨计划在2025年2月之前在旗下核心据点那珂工厂内导入40纳米（nm）MCU制造设备、2025年3月之前在川尻工厂内导入130nm MC