小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低成本、简化应用设计方面起着至关重要的作用。另外，更高的功率密度还可以实现灵活的布线，缩小系统的整体尺寸。英飞凌科技最近推出了先进的OptiMOS™PQFNNNET用于进一步扩大功率MOSFET 2×2 MM2包装的功率MOSFET产品阵容旨在为功率半导体行业提供基准解决方案，在较小的包装尺寸内实现更高的效率和更好的性能。在服务器、通信、便携式充电器、无线充电器等各种应用中，新产品广泛应用于各种应用（SMPS）同步整流等。此外，新产品还可用于无人机中的小型无刷电机的电子速度控制器。

全新OptiMOS™6 40V功率MOSFET，OptiMOS™5 25V和30V 用于高性能设计的成熟OptiMOSET进一步优化了功率MOSFET™技术。新产品采用超小型PQFNN 2×2 mm2包装，硅技术先进，包装稳定可靠，热阻极低(RthJC最大值为3.2 K/W）。这些新设备具有极低的导通电阻和行业领先的性能指标（FOMs, QG和QOSS），AI，人工智能，半导体芯片能实现出色的动态开关性能。所以，这些都有超低开关损耗和低导通损耗 MOSFET设备能保证优异的能效和功率密度，同时简化散热管理。

OptiMOS™紧凑的PQFNN开关使用紧凑的PQFN 2×2 mm2包装可以缩小系统尺寸，使终端用户应用的几何形状更加小巧灵活。这些MOSFET设备通过减少并联需求，提高了系统设计的可靠性，显著降低了占板空间和系统成本。

供货情况

全新OptiMOS™6 40V功率MOSFET(ISK057N04LM6)的导电阻值为5.7 mΩ，OptiMOS™5 25V功率MOSFET(ISK024NE2LM5)和OptiMOSFET™5 30V功率MOSFET(ISK036N03LM5)的导电阻分别为2.4 mΩ和3.6 mΩ，所有这些MOSFET设备都采用改进的PQFN 2×2 mm2 封装，现已开放订购。

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